1N5807US
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| Teilenummer | 1N5807US |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 117 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.991 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 1N5807US | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 10923 pcs | Datenblatt | 1N5807,09,11 US/URS |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 50V | Supplier Device-Gehäuse | B, SQ-MELF |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 30ns | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | SQ-MELF, B | Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF | Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5µA @ 50V |
| Strom - Richt (Io) | 3A | Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
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