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1N5811TR

1N5811TR
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Teilenummer 1N5811TR
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 14602 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
$4.344$3.91$3.214$2.693

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Product parameter

Teilenummer 1N5811TR Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 14602 pcs Datenblatt 1N5807,9,11
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 150V Supplier Device-Gehäuse -
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 30ns Verpackung Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse B, Axial Andere Namen 1N5811CT
1N5811CT-ND
1N5811E3CT
1N5811E3CT-ND
1N5811TRCT
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp Standard detaillierte Beschreibung Diode Standard 150V 6A Through Hole
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5µA @ 150V Strom - Richt (Io) 6A
Kapazität @ Vr, F - Basisteilenummer 1N5811

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