1N5809US

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| Teilenummer | 1N5809US |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.968 | $3.571 | $2.936 | $2.46 | ||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 1N5809US | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 12242 pcs | Datenblatt | 1N5807,09,11 US/URS |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100V | Supplier Device-Gehäuse | B, SQ-MELF |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 30ns | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | SQ-MELF, B | Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diodentyp | Standard | detaillierte Beschreibung | Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5µA @ 100V | Strom - Richt (Io) | 3A |
| Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
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