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Teilenummer 1N5809US
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 12242 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
$3.968$3.571$2.936$2.46

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Teilenummer 1N5809US Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 12242 pcs Datenblatt 1N5807,09,11 US/URS
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100V Supplier Device-Gehäuse B, SQ-MELF
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 30ns Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SQ-MELF, B Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp Standard detaillierte Beschreibung Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5µA @ 100V Strom - Richt (Io) 3A
Kapazität @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz

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