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1N5811US

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Teilenummer 1N5811US
Hersteller Semtech
Beschreibung DIODE GEN PURP 150V 6A
Bleifreier Status / RoHS Status
In Stock 5571 pcs
Referenzpreis
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$5.448

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Teilenummer 1N5811US Hersteller Semtech
Beschreibung DIODE GEN PURP 150V 6A Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge 5571 pcs Datenblatt 1N5807US,09US,11US
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 150V Supplier Device-Gehäuse -
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 30ns Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SQ-MELF Andere Namen 1N5811USS
Betriebstemperatur - Anschluss - Befestigungsart Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit 46 Weeks Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 150V 6A Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5µA @ 150V
Strom - Richt (Io) 6A Kapazität @ Vr, F 60pF @ 5V, 1MHz

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