1N5809US.TR
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| Teilenummer | 1N5809US.TR |
|---|---|
| Hersteller | Semtech |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 6A |
| Bleifreier Status / RoHS Status |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 250 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.553 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 1N5809US.TR | Hersteller | Semtech |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 6A | Bleifreier Status / RoHS Status | |
| Verfügbare Menge | 5828 pcs | Datenblatt | 1N5807US,09US,11US |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 100V | Supplier Device-Gehäuse | - |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 30ns | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | SQ-MELF | Betriebstemperatur - Anschluss | - |
| Befestigungsart | Surface Mount | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 46 Weeks |
| Diodentyp | Standard | detaillierte Beschreibung | Diode Standard 100V 6A Surface Mount |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5µA @ 100V | Strom - Richt (Io) | 6A |
| Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 5V, 1MHz |
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1N5811C.TR - Hersteller:
Semtech - Beschreibung:
DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL - Auf Lager:
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