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1N5806US

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Teilenummer 1N5806US
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 17636 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
$3.415$3.074$2.527$2.117

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Teilenummer 1N5806US Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 150V 1A D5A Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 17636 pcs Datenblatt 1N5802, 04US, 06US and URS
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 1A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 150V Supplier Device-Gehäuse D-5A
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 25ns Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SQ-MELF, A Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp Standard detaillierte Beschreibung Diode Standard 150V 1A Surface Mount D-5A
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1µA @ 150V Strom - Richt (Io) 1A
Kapazität @ Vr, F 25pF @ 10V, 1MHz

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