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1N5807

1N5807
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Teilenummer 1N5807
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 14917 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
$4.063$3.657$3.007$2.519

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Product parameter

Teilenummer 1N5807 Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 14917 pcs Datenblatt 1N5807,9,11
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 50V Supplier Device-Gehäuse -
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 30ns Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse B, Axial Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp Standard detaillierte Beschreibung Diode Standard 50V 3A Through Hole
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5µA @ 50V Strom - Richt (Io) 3A
Kapazität @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz

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