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STB28N60DM2

STB28N60DM2
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Teilenummer STB28N60DM2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 21A
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 29714 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer STB28N60DM2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 21A Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 29714 pcs Datenblatt ST(B,P,W)28N60DM2
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 10.5A, 10V Verlustleistung (max) 170W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-16349-2 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 100V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 21A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc)

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