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STB25NM50N

STB25NM50N
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Teilenummer STB25NM50N
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 10845 pcs
Referenzpreis
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$3.048

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Gesamt:
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Product parameter

Teilenummer STB25NM50N Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 10845 pcs Datenblatt STx25NM50N
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 11A, 10V Verlustleistung (max) 160W (Tc)
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-5385-1 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2565pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V detaillierte Beschreibung N-Channel 500V 22A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)

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