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STB26NM60ND

STB26NM60ND
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Teilenummer STB26NM60ND
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 18218 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
$3.124$2.813$2.313$1.938

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Teilenummer STB26NM60ND Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 18218 pcs Datenblatt STx26NM60ND
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie FDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 10.5A, 10V Verlustleistung (max) 190W (Tc)
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-14264-1 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1817pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54.6nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 21A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc)

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