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STB28NM60ND

STB28NM60ND
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Teilenummer STB28NM60ND
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 24879 pcs
Referenzpreis
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$1.548

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Product parameter

Teilenummer STB28NM60ND Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 24879 pcs Datenblatt ST(B,F,P,W)28NM60ND
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie FDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 11.5A, 10V Verlustleistung (max) 190W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-14238-2 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2090pF @ 100V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62.5nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 23A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc)

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