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STB26N60M2

STB26N60M2
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Teilenummer STB26N60M2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 36040 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
$1.398$1.248$1.024$0.829

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Teilenummer STB26N60M2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 36040 pcs Datenblatt Power Mgmt Guide BrochureSTB26N60M2 Datasheet
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 10A, 10V Verlustleistung (max) 169W (Tc)
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-17546-1 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1360pF @ 100V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 20A (Tc) 169W (Tc) Surface Mount D2PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)

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