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STB28N65M2

STB28N65M2
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Teilenummer STB28N65M2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 43355 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
$1.217$1.099$0.883$0.687

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Teilenummer STB28N65M2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 43355 pcs Datenblatt STx28N65M2
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 10A, 10V Verlustleistung (max) 170W (Tc)
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-15456-1 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1440pF @ 100V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 20A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)

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