STB27NM60ND
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| Teilenummer | STB27NM60ND |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.182 | $2.865 | $2.356 | $1.974 | ||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STB27NM60ND | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 17567 pcs | Datenblatt | Power Mgmt Guide BrochureSTW27NM60NDSpice Model Tutorial for Power MOSFETS |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK | Serie | Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 10.5A, 10V | Verlustleistung (max) | 160W (Tc) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) | Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen | 497-17760-1 | Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 42 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 50V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 21A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Tc) |
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