1N5621US
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| Teilenummer | 1N5621US |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 800V 1A D5A |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.001 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 1N5621US | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 800V 1A D5A | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 7750 pcs | Datenblatt | 1N5615US thru 1N5623US |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800V | Supplier Device-Gehäuse | D-5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 300ns | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | SQ-MELF, A | Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diodentyp | Standard | detaillierte Beschreibung | Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 500nA @ 800V | Strom - Richt (Io) | 1A |
| Kapazität @ Vr, F | 20pF @ 12V, 1MHz |
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