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1N5619US

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Teilenummer 1N5619US
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 12840 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
$4.106$3.695$3.038$2.546

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Product parameter

Teilenummer 1N5619US Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 1A D5A Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 12840 pcs Datenblatt 1N5615US thru 1N5623US
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 3A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600V Supplier Device-Gehäuse D-5A
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 250ns Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SQ-MELF, A Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp Standard detaillierte Beschreibung Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 500nA @ 600V Strom - Richt (Io) 1A
Kapazität @ Vr, F 25pF @ 12V, 1MHz

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