1N5622C.TR
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| Teilenummer | 1N5622C.TR |
|---|---|
| Hersteller | Semtech |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL |
| Bleifreier Status / RoHS Status |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.209 | $1.971 | $1.616 | |||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 1N5622C.TR | Hersteller | Semtech |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | Bleifreier Status / RoHS Status | |
| Verfügbare Menge | 20111 pcs | Datenblatt | 1N5614C thru 1N5622C |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000V | Supplier Device-Gehäuse | Axial |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 2µs | Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | Axial | Andere Namen | 1N5622C.CT |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | Not Applicable | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
| Diodentyp | Avalanche | detaillierte Beschreibung | Diode Avalanche 1000V 2A Through Hole Axial |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 500nA @ 1000V | Strom - Richt (Io) | 2A |
| Kapazität @ Vr, F | 23pF @ 5V, 1MHz |
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