1N5622US
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| Teilenummer | 1N5622US |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 153 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.194 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 1N5622US | Hersteller | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 17354 pcs | Datenblatt | 1N5614US thru 1N5622US |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Spitzensperr- (max) | Standard |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1A | Spannung - Durchschlag | D-5A |
| Serie | - | RoHS Status | Bulk |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Widerstand @ If, F | - |
| Polarisation | SQ-MELF, A | Betriebstemperatur - Anschluss | 2µs |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 7 Weeks | Hersteller-Teilenummer | 1N5622US |
| Expanded Beschreibung | Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A | Diodenkonfiguration | 500nA @ 1000V |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A | Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1.3V @ 3A |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 1000V (1kV) | Kapazität @ Vr, F | -65°C ~ 200°C |
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