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1N5620C.TR

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Teilenummer 1N5620C.TR
Hersteller Semtech
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Bleifreier Status / RoHS Status
In Stock 34285 pcs
Referenzpreis
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Product parameter

Teilenummer 1N5620C.TR Hersteller Semtech
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge 34285 pcs Datenblatt 1N5614C thru 1N5622C
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 800V Supplier Device-Gehäuse Axial
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 2µs Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse Axial Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Not Applicable
Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks Diodentyp Avalanche
detaillierte Beschreibung Diode Avalanche 800V 2A Through Hole Axial Strom - Sperrleckstrom @ Vr 500nA @ 800V
Strom - Richt (Io) 2A Kapazität @ Vr, F 23pF @ 5V, 1MHz

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