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1N5620

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Teilenummer 1N5620
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 25005 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
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$2.441$2.196$1.805$1.513$1.317

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Product parameter

Teilenummer 1N5620 Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 25005 pcs Datenblatt 1N5615 - 1N5623
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 3A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 800V Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 2µs
Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse A, Axial
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 200°C Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 800V 1A Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 500nA @ 800V
Strom - Richt (Io) 1A Kapazität @ Vr, F -

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