EPC2110
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| Teilenummer | EPC2110 |
|---|---|
| Hersteller | EPC |
| Beschreibung | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.973 | $0.879 | $0.784 | $0.706 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $0.628 | $0.549 | $0.455 | |||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | EPC2110 | Hersteller | EPC |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 79887 pcs | Datenblatt | EPC2110 Datasheet |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
| Supplier Device-Gehäuse | Die | Serie | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4A, 5V | Leistung - max | - |
| Verpackung | Cut Tape (CT) | Verpackung / Gehäuse | Die |
| Andere Namen | 917-1152-1 | Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 14 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V | Typ FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Merkmal | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 120V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.4A |
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