EPC2106
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| Teilenummer | EPC2106 |
|---|---|
| Hersteller | EPC |
| Beschreibung | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.319 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | EPC2106 | Hersteller | EPC |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 59781 pcs | Datenblatt | EPC2106 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
| Supplier Device-Gehäuse | Die | Serie | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 2A, 5V | Leistung - max | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | Die |
| Andere Namen | 917-1110-2 | Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 14 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET-Merkmal | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.7A |
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