EPC2111ENGRT
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| Teilenummer | EPC2111ENGRT |
|---|---|
| Hersteller | EPC |
| Beschreibung | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.625 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | EPC2111ENGRT | Hersteller | EPC |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 48662 pcs | Datenblatt | EPC2111 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
| Supplier Device-Gehäuse | Die | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V | Leistung - max | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | Die |
| Andere Namen | 917-EPC2111ENGRTR | Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 15V, 590pF @ 15V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET-Merkmal | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A (Ta) Surface Mount Die |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16A (Ta) |
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