EPC2108
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| Teilenummer | EPC2108 |
|---|---|
| Hersteller | EPC |
| Beschreibung | MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.333 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | EPC2108 | Hersteller | EPC |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 57624 pcs | Datenblatt | EPC2108 Datasheet |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Supplier Device-Gehäuse | 9-BGA (1.35x1.35) | Serie | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V | Leistung - max | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | 9-VFBGA |
| Andere Namen | 917-1169-2 | Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 14 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Typ FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) | FET-Merkmal | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V, 100V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.7A, 500mA |
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