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EPC2111

EPC2111
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Teilenummer EPC2111
Hersteller EPC
Beschreibung TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 45565 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)
1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
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Product parameter

Teilenummer EPC2111 Hersteller EPC
Beschreibung TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 45565 pcs Datenblatt EPC2111
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA
Supplier Device-Gehäuse Die Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V Leistung - max -
Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse Die
Andere Namen 917-1174-6 Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 14 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Typ FET 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Merkmal GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A (Ta) Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta)

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