EPC2105
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| Teilenummer | EPC2105 |
|---|---|
| Hersteller | EPC |
| Beschreibung | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | 250 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.405 | $3.064 | $2.792 | $2.519 | $2.315 | |
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | EPC2105 | Hersteller | EPC |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 16474 pcs | Datenblatt | EPC2105 Preliminary |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA |
| Supplier Device-Gehäuse | Die | Serie | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V | Leistung - max | - |
| Verpackung | Original-Reel® | Verpackung / Gehäuse | Die |
| Andere Namen | 917-1185-6 | Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 14 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET-Merkmal | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.5A, 38A |
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