EPC2102ENG
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| Teilenummer | EPC2102ENG |
|---|---|
| Hersteller | EPC |
| Beschreibung | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 10 pcs | 30 pcs | 100 pcs | 250 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.811 | $3.525 | $3.24 | $2.954 | $2.763 | |
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | EPC2102ENG | Hersteller | EPC |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 13779 pcs | Datenblatt | EPC2102 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Supplier Device-Gehäuse | Die | Serie | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 20A, 5V | Leistung - max | - |
| Verpackung | Tray | Verpackung / Gehäuse | Die |
| Andere Namen | 917-EPC2102ENG EPC2102ENGRH6 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V | Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Merkmal | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 23A |
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