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STU7N60M2

STU7N60M2
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Teilenummer STU7N60M2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 86606 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs75 pcs150 pcs525 pcs1050 pcs
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Teilenummer STU7N60M2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V IPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 86606 pcs Datenblatt STx7N60M2
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK Serie MDmesh™ II Plus
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 2.5A, 10V Verlustleistung (max) 60W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen 497-13979-5
STU7N60M2-ND		 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 271pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)

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