STU6N65M2
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| Teilenummer | STU6N65M2 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 4A IPAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 75 pcs | 150 pcs | 525 pcs | 1050 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.618 | $0.495 | $0.433 | $0.336 | $0.265 | |
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STU6N65M2 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 4A IPAK | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 90481 pcs | Datenblatt | ST(F,P,U)6N65M2 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | IPAK (TO-251) | Serie | MDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35 Ohm @ 2A, 10V | Verlustleistung (max) | 60W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Andere Namen | 497-15044-5 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 226pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 650V 4A (Tc) 60W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Tc) |
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