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STU8NM50N

STU8NM50N
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Teilenummer STU8NM50N
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 67433 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Teilenummer STU8NM50N Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 5A IPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 67433 pcs Datenblatt STx8NM50N
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK Serie MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 790 mOhm @ 2.5A, 10V Verlustleistung (max) 45W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen 497-12368 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 364pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V detaillierte Beschreibung N-Channel 500V 5A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)

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