STU8NM60ND
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| Teilenummer | STU8NM60ND |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 7A IPAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.713 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STU8NM60ND | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 7A IPAK | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 42181 pcs | Datenblatt | STx8NM60ND |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | I-PAK | Serie | FDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 3.5A, 10V | Verlustleistung (max) | 70W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 50V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 7A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A (Tc) |
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