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STU60N55F3

STU60N55F3
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Teilenummer STU60N55F3
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 80A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 70480 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Teilenummer STU60N55F3 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 80A IPAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 70480 pcs Datenblatt STx60N55F3
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse I-PAK Serie STripFET™ III
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 32A, 10V Verlustleistung (max) 110W (Tc)
Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen 497-12698-5
STU60N55F3-ND		 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V detaillierte Beschreibung N-Channel 55V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)

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