STU5N65M6

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| Teilenummer | STU5N65M6 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A IPAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.217 | |||||
- Produktparameter
Product parameter
| Teilenummer | STU5N65M6 | Hersteller | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A IPAK | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 97727 pcs | Datenblatt | |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 3.75V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | I-PAK | Serie | MDmesh™ M6 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 2A, 10V | Verlustleistung (max) | 45W (Tc) |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 100V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 650V 4A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Tc) |
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