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STB33N60DM2

STB33N60DM2
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Teilenummer STB33N60DM2
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 24A
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 35967 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
$1.738$1.55$1.271$1.029

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Product parameter

Teilenummer STB33N60DM2 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 24A Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 35967 pcs Datenblatt ST(B,P,W)33N60DM2
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 12A, 10V Verlustleistung (max) 190W (Tc)
Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-16354-6 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1870pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 24A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)

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