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STB35NF10T4

STB35NF10T4
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Teilenummer STB35NF10T4
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 83569 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
$0.829$0.749$0.602$0.468

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Teilenummer STB35NF10T4 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 83569 pcs Datenblatt ST(B,P)35NF10
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 17.5A, 10V Verlustleistung (max) 115W (Tc)
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-7947-1 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 38 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
detaillierte Beschreibung N-Channel 100V 40A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount D2PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)

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