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STB32NM50N

STB32NM50N
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Teilenummer STB32NM50N
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N CH 500V 22A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 45417 pcs
Referenzpreis
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Product parameter

Teilenummer STB32NM50N Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N CH 500V 22A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 45417 pcs Datenblatt STx32NM50N
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak) Serie MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 11A, 10V Verlustleistung (max) 190W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-13264-2 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1973pF @ 50V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62.5nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
detaillierte Beschreibung N-Channel 500V 22A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)

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