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STB30NM60N

STB30NM60N
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Teilenummer STB30NM60N
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 8476 pcs
Referenzpreis
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$3.688

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Gesamt:
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Teilenummer STB30NM60N Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 8476 pcs Datenblatt STx30NM60N
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 12.5A, 10V Verlustleistung (max) 190W (Tc)
Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-8474-6 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Tc)

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