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STB200N4F3

STB200N4F3
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Teilenummer STB200N4F3
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 33492 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1000 pcs
$1.015

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Product parameter

Teilenummer STB200N4F3 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 33492 pcs Datenblatt STx200N4F3
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 80A, 10V Verlustleistung (max) 300W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
detaillierte Beschreibung N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)

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