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STB19NM65N

STB19NM65N
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Teilenummer STB19NM65N
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 23167 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs
$2.637$2.354$1.93$1.563

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Teilenummer STB19NM65N Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 23167 pcs Datenblatt STx19NM65N
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 7.75A, 10V Verlustleistung (max) 150W (Tc)
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-7001-1 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 15.5A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15.5A (Tc)

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