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STB18NM80

STB18NM80
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Teilenummer STB18NM80
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 59683 pcs
Referenzpreis
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Teilenummer STB18NM80 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 59683 pcs Datenblatt STx18NM80
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295 mOhm @ 8.5A, 10V Verlustleistung (max) 190W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen 497-10117-2 Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2070pF @ 50V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
detaillierte Beschreibung N-Channel 800V 17A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)

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