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STB190NF04T4

STB190NF04T4
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Teilenummer STB190NF04T4
Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 36211 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1000 pcs
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Teilenummer STB190NF04T4 Hersteller STMicroelectronics
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 36211 pcs Datenblatt ST(B,P)190NF04(-1)
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK Serie STripFET™ III
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 95A, 10V Verlustleistung (max) 310W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5800pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 5V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
detaillierte Beschreibung N-Channel 40V 120A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount D2PAK Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)

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