APTM120DA30CT1G
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| Teilenummer | APTM120DA30CT1G |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $24.252 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APTM120DA30CT1G | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 1449 pcs | Datenblatt | APTM120DA30CT1G |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SP1 | Serie | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 25A, 10V | Verlustleistung (max) | 657W (Tc) |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | SP1 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14560pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 560nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 1200V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 31A (Tc) |
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