APTM120A80FT1G
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| Teilenummer | APTM120A80FT1G |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APTM120A80FT1G | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 4904 pcs | Datenblatt | Power Products CatalogAPTM120A80FT1G |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Supplier Device-Gehäuse | SP1 | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960 mOhm @ 12A, 10V | Leistung - max | 357W |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | SP1 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6696pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET-Merkmal | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 14A 357W Chassis Mount SP1 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 14A |
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