APTM120H57FT3G
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| Teilenummer | APTM120H57FT3G |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | Get a quote | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APTM120H57FT3G | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 5327 pcs | Datenblatt | Power Products CatalogAPTM120H57FT3G |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Supplier Device-Gehäuse | SP3 | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 684 mOhm @ 8.5A, 10V | Leistung - max | 390W |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | SP3 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5155pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 187nC @ 10V |
| Typ FET | 4 N-Channel (H-Bridge) | FET-Merkmal | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 17A |
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