APTM120H140FT1G
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| Teilenummer | APTM120H140FT1G |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $14.45 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | APTM120H140FT1G | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 2679 pcs | Datenblatt | Power Products CatalogAPTM120H140FT1G |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Supplier Device-Gehäuse | SP1 | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.68 Ohm @ 7A, 10V | Leistung - max | 208W |
| Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | SP1 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Hersteller Standard Vorlaufzeit | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3812pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V | Typ FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Merkmal | Standard | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 8A 208W Chassis Mount SP1 | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A |
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