1N6625US
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| Teilenummer | 1N6625US |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.661 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 1N6625US | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 6915 pcs | Datenblatt | 1N6620-25US |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 1A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1100V | Supplier Device-Gehäuse | A-MELF |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 60ns | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | SQ-MELF, A | Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 1100V 1A Surface Mount A-MELF | Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1µA @ 1100V |
| Strom - Richt (Io) | 1A | Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
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Microsemi Corporation - Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL - Auf Lager:
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