1N6630US
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| Teilenummer | 1N6630US |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $6.277 | |||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 1N6630US | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 4859 pcs | Datenblatt | 1N6626US-1N6631US |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 900V | Supplier Device-Gehäuse | D-5B |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50ns | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | E-MELF | Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 900V 1.4A Surface Mount D-5B | Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 4µA @ 100V |
| Strom - Richt (Io) | 1.4A | Kapazität @ Vr, F | - |
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