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1N6629US

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Teilenummer 1N6629US
Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
In Stock 6210 pcs
Referenzpreis
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Product parameter

Teilenummer 1N6629US Hersteller Microsemi
Beschreibung DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 6210 pcs Datenblatt 1N6626US-1N6631US
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.4A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 880V Supplier Device-Gehäuse A-MELF
Geschwindigkeit Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 50ns Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SQ-MELF, A Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 150°C
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant Diodentyp Standard
detaillierte Beschreibung Diode Standard 880V 1.4A Surface Mount A-MELF Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2µA @ 880V
Strom - Richt (Io) 1.4A Kapazität @ Vr, F 40pF @ 10V, 1MHz

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