1N6622US
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| Teilenummer | 1N6622US |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $6.04 | $5.489 | ||||
- Produktparameter
- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | 1N6622US | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
| Verfügbare Menge | 6696 pcs | Datenblatt | 1N6620-25US |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.2A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 660V | Supplier Device-Gehäuse | A-MELF |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) | Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 30ns | Verpackung | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse | SQ-MELF, A | Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 660V 1.2A Surface Mount A-MELF | Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 500nA @ 660V |
| Strom - Richt (Io) | 1.2A | Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
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