CSD86360Q5D
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| Teilenummer | CSD86360Q5D |
|---|---|
| Hersteller | N/A |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 2500 pcs | 5000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.424 | $0.408 | ||||
- Produktparameter
Product parameter
| Teilenummer | CSD86360Q5D | Hersteller | N/A |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 73626 pcs | Datenblatt | |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte | VGS (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-LSON (5x6) | Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Leistung - max | 13W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | Verpackung / Gehäuse | 8-PowerLDFN |
| Andere Namen | 296-35026-2 CSD86360Q5D-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 35 Weeks | Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2060pF @ 12.5 | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6nC @ 4.5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 50A 13W Surface Mount 8-LSON (5x6) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A | Basisteilenummer | CSD86360 |
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